智通财经APP获悉，中信证券(600030)发布研究报告称，原厂单季度营收低谷已过，部分高端存储价格已现涨势，预计23H2供需关系持续改善，部分产品价格有望回暖。综合主要海外存储大厂给出的CY23H2指引，随海外大厂稼动控制，存储供需改善，行业库存持续去化，主流存储价格下半年有望持续回暖，看好产业链公司23H2业绩底部复苏;随AI服务器市场高速增长，有望驱动HBM出货量及占比快速提升，看好国内进行HBM前瞻布局的相关产业链公司。建议关注：1)存储模组;2)存储芯片设计;3)存储配套芯片。

▍中信证券主要观点如下：

(相关资料图)

存储器价格情况：

DRAM方面：7月高端产品价格已现涨势，环比-8.33%~+10.10%，本轮高点21年6月至23年7月累计跌幅为69%~83%。

高端DRAM(DDR5)价格有所上涨，7月涨幅0%~10.10%，主流DRAM(DDR4)价格仍下跌，7月跌幅在1.02%~7.92%，较6月有所扩大(6月跌幅1.37%~3.81%)，利基DRAM(DDR3)价格跌幅在3.96%~8.33%(6月跌幅0.98%~7.69%)，目前价格处于周期底部。

虽然供应商减产不及需求走弱速度，但相较23Q1，部分产品23Q2均价季跌幅有收缩趋势，根据TrendForce，23Q2 DRAM跌幅收缩至13%-18%，其中，PC及Server DRAM跌幅为15%-20%;Mobile DRAM跌幅为13%-18%。TrendForce预计，受DRAM厂商陆续减产影响，整体DRAM供给逐季减少，加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力，23Q3跌幅将进一步收缩至0%-5%，同时LPDDR5产品价格有望上涨0~5%。

NAND Flash方面：7月价格止跌回升，环比0.00%~+1.42%(512GB大容量首次环比上涨)，本轮高点21年7月至23年6月累计跌幅为47%~71%。

23H2旺季备货周期将至，尽管今年需求低迷导致终端出货持续下修，市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1，采购量有机会逐季增加;由于多数供应商已开始减产，库存压力有望在Q3下降，三星等原厂报价态度强势，Q3合约价有较大机率触底反弹，并刺激买方采购意愿，加速供需平衡。TrendForce预计23Q3起NAND Flash Wafer均价环比涨幅0%-5%，Q4涨幅将进一步扩大至8%~13%。

存储模组方面：今年2月开始价格下跌幅度收窄，7月价格基本稳定，本轮高点22年3月至23年7月累计跌幅为45%~64%。

据CFM闪存市场，截至6月27日，近半年DDR4 SODIMM(8GB 3200)价格由约17美金降至不足14美金，降幅约19%，OEM SSD(512GB SATA)由约26.5美金降至19.5美金，降幅约26%。11月下旬以来降幅有所收窄，模组厂商产品单价有望于23H2企稳回暖，随下游需求复苏而获得销量弹性，同时上游晶圆成本处于底部，有利于模组环节盈利水平修复。

交期及价格预测：货期趋势整体缩短，存储器模块交期仍维持稳定，跌价已近尾声。

根据TrendForce，23Q2 NAND Flash价格跌幅为10~15%，预计23Q3价格跌幅收缩至3~8%，供需错配下仍压制NAND Flash价格止跌回稳;NAND Flash Wafer均价预估将率先上涨，SSD、eMMC、UFS等模组产品则因下游客户拉货迟缓价格续跌，Q4 NAND整体均价有望止跌回升;

根据TrendForce，23Q2 DRAM价格跌幅收缩至13%~18%，受DRAM厂商陆续减产影响，整体DRAM供给逐季减少，加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力，预计23Q3跌幅将进一步收缩至0%~5%。

厂商数据：

主流存储器价格承压，中国台湾存储市场的重点公司如旺宏、华邦电、南亚科、力积电营收同比下降，旺宏和力积电环比上升，华邦电和南亚科环比下降。旺宏7月营收同比-39.48%，环比+1.95%;华邦电7月营收同比-14.56%，环比-9.64%;南亚科7月营收同比-44.56%，环比-0.85%;力积电7月营收同比-49.06%，环比+0.10%。

供给侧与需求侧近况更新：

供给端：为应对下游需求持续疲软、行业供过于求，部分厂商调降投片量，同时下调2023年资本开支及产能提升预期。

据各公司业绩发布会，美光FY2023资本支出降至70亿美元，同比-40%以上，并将对DRAM和NAND进一步减产30%至2024年;SK海力士FY2023资本开支将同比削减超50%，并决定对NAND进一步减产5-10%;西部数据预计FY2024资本支出将大幅下降;三星平泽与西安厂扩大减产幅度;23H2大厂库存消耗速度将加快，促使半导体整体产业状况改善。量产、扩产方面，SK海力士24GB LPDDR5X DRAM已量产并供货OPPO;

此外，SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品，计划2025H1量产。从历史周期看，资本开支增速与市场增速强相关性，随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率，预计23年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。

需求端：下游厂商“降成本、去库存”趋势持续，看好需求逐步复苏。

2022年需求疲软下行业库存持续攀升，各大终端厂商将把重心持续放在去库存及降成本上，22Q4末华硕、联想、浪潮库存周转天数相较22Q2末已有所好转。但浪潮由于库存原材料增长、提前备货等原因，23Q1库存周转天数为179天，有所增加。

目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高。需求量来看，看好23H2至24年下游需求回暖趋势：1)服务器端，预计23Q3需求将有望实现环比增长，看好23H2 DDR5在服务器端需求提升，同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求(content)是传统的6~8x和3x;2)PC端，预计23年PC出货同比下滑低两位数(low-double digit);3)手机及智能终端，预计23年智能手机出货同比下降中个位数(mid-single digit)，年内前低后高，库存逐季改善;4)汽车端稳健增长，预计23Q3工业市场出现初步复苏迹象，行业库存及需求有望在23H2持续改善。

海外厂商业绩追踪：从海外大厂业绩看存储行业复苏。

海外存储大厂均已发布CY23Q2业绩：美光实现营收37.5亿美元(-57% YoY，+2% QoQ);三星电子DS板块下存储业务实现营收8.97万亿韩元(-57% YoY，+1% QoQ);SK海力士实现营收7.31万亿韩元(-47% YoY，+44% QoQ);西部数据Flash业务实现营收13.77亿美元(-43% YoY，+5% QoQ)。美光、三星电子(存储业务)、SK海力士、西部数据(Flash业务)Q2营收均实现环比增长，存储板块营收低谷已过。

风险因素：

下游需求复苏不及预期;芯片价格持续下跌;行业竞争加剧;新技术研发进展缓慢;国际地缘政治冲突等。